安森美半導體推出新的多芯片模塊PWM

安森美半導體推出新的多芯片模塊PWM
 

2018年6月26日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出3款新的高能效中壓脈寬調(diào)制（PWM）降壓轉(zhuǎn)換器。

安森美半導體新的FAN6500X 降壓轉(zhuǎn)換器系列支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，輸出電流高達10 A，輸出功率為100 W，結合經(jīng)歷時間測試的固定頻率控制方法與靈活的Type III補償和強固的故障保護。安森美半導體集成了PowerTrench® MOSFET技術，以創(chuàng)建一種強固的集成方案，為DC-DC應用提供業(yè)界的功率密度和能效。

FAN65008B//4B PWM 降壓轉(zhuǎn)換器結合安森美半導體的PowerTrench MOSFET工藝與業(yè)界的封裝技術在一個四方扁平無引線（PQFN）封裝中，提供電源路徑上極低的寄生效應，使開發(fā)人員能夠?qū)崿F(xiàn)98.5%的峰值能效，比使用一個外部MOSFET的方案具有更低的振鈴和更好的電磁干擾（EMI）。

這三個器件都支持4.5 V至65 V的寬輸入電壓范圍，適用于工業(yè)和消費電子領域的廣泛應用，從基站電源到家庭自動化。它們也適用于電池管理系統(tǒng)，以及USB供電(PD)應用。集成兩個LDO和一個片上電源路徑開關使設計人員能靈活地使用電源路徑從輸入電壓、降壓轉(zhuǎn)換器輸出或通過PVCC引腳為控制器供電。

高集成度使制造商可以采用FAN6500x系列在功率密度、物料單（BoM）成本、性能和靈活性之間取得適當?shù)钠胶?。安森美半導體通過充分利用PowerTrench MOSFET技術，成功地解決開發(fā)人員期望電源管理方案可提供的關鍵特性。

FAN6500x系列實現(xiàn)了一系列全面的功能以保護器件本身和任何下游電路不受損害。這些保護功能包括可調(diào)過流保護、熱關斷、過壓保護和短路保護。

安森美半導體移動、計算和云分部副總裁Richard Lu說：“隨著FAN6500X系列器件的發(fā)布，安森美半導體已生產(chǎn)了一系列強固的方案，以業(yè)界的能效、功率密度和靈活性幫助客戶滿足他們的中壓DC-DC需求。”

安森美半導體提供配套的評估板（FAN65004B-GEVB、FAN6500-GEVB和FAN65008B-GEVB）。請您的安森美半導體銷售代表以申請評估板。